碳化硅陶瓷的优良特性与制备方法
碳化硅陶瓷是以碳化硅原料为主的经过各种工艺制成的一种特种陶瓷，下面首先了解下碳化硅陶瓷的优良特性： 碳化硅陶瓷主要有抗氧化性、导电性、硬度高、较高的导热率等。

ü  抗氧化性 碳化硅陶瓷在800-1140度时抗氧化性较差，在1140-1600度时抗氧化性非常    好，高于1750度时，氧化膜被破坏，抗氧化性急剧下降。

ü  导电性 纯碳化硅是电绝缘体，但是碳化硅陶瓷里面含有各种杂质，因此具备了一些导电性能。

ü  硬度高 碳化硅陶瓷的硬度性能，是由碳化硅本身决定的，随着温度的升高，碳化硅陶瓷的硬度并不下降。

ü   导热率  在室温情况下，碳化硅陶瓷的导热率是相当高的。 

在了解了他的优良特性后，我们会想，碳化硅陶瓷究竟是如何制备而成的呢，由于碳化硅陶瓷的各种优良性能，因此人们非常认可碳化硅陶瓷，所以对碳化硅陶瓷的开发和研制也是非常多的，下面讲几种制备碳化硅陶瓷的方法：
  （1）热压碳化硅陶瓷  虽然在2000度以上的温度和350MPa以上的压力可以使纯SIC热压致密，但是通常还是采用加入添加剂的方法。热压添加剂有两类：一类与碳化硅中的杂质形成液相，通过液相促进烧结；一类是与SiC形成固溶体降低晶界能促进烧结。
  （2）常压碳化硅陶瓷 常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅，在烧结到2100度以上的温度下，生成高纯度、高致密的碳化硅陶瓷。
  （3）反应碳化硅陶瓷  反应烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合压成坯体块,加热到1650度左右，通过气相与C反应生成。